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| 品番 | IPG20N04S412AATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 12.2 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 15µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 18nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1470pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 41W |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-10 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | 詳細 | |
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IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8 | 5000 | 詳細 | |
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IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | 0 | 詳細 | |
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IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | 詳細 | |
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IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | 詳細 | |
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IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | 詳細 | |
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IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | 詳細 | |
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IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | 詳細 | |
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IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 5000 | 詳細 | |
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IPG20N04S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | 詳細 | |
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IPG20N04S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | 詳細 | |
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IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 5000 | 詳細 |