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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | IPG16N10S4L61AATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 61 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.1V @ 90µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 11nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 845pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 29W |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-10 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IPG16N10S461AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | 詳細 | |
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IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | 詳細 | |
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IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | 詳細 |