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品番 | IPD80N06S3-09 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 55V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 55µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 88nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6100pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 107W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 8.4 mOhm @ 40A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |