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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IPD60R800CEATMA1 |
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部品ステータス | Not For New Designs |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.6A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.5V @ 170µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 17.2nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 373pF @ 100V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 48W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 800 mOhm @ 2A, 10V |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-3 |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |