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品番 | IPD50R3K0CEAUMA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 500V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.7A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 13V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.5V @ 30µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 4.3nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 84pF @ 100V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 26W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3 Ohm @ 400mA, 13V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |