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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IPB60R160C6ATMA1 |
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部品ステータス | Not For New Designs |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 23.8A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 160 mOhm @ 11.3A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.5V @ 750µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1660pF @ 100V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 176W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |