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| 品番 | IPB100N12S305ATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 120V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 240µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 185nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11570pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 300W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 5.1 mOhm @ 100A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
| パッケージ/ケース | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IPB100N04S204ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | - | 0 | 詳細 |
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IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | 1000 | 詳細 | |
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IPB100N04S2L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | - | 0 | 詳細 |
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IPB100N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | 0 | 詳細 | |
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IPB100N04S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | - | 0 | 詳細 |
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IPB100N04S303ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | - | 1000 | 詳細 |
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IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 | 0 | 詳細 | |
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IPB100N06S205ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | - | 0 | 詳細 |
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IPB100N06S205ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | 1000 | 詳細 | |
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IPB100N06S2L05ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | - | 0 | 詳細 |
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IPB100N06S2L05ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | 0 | 詳細 | |
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IPB100N06S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK | 0 | 詳細 |