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品番 | IPB057N06NATMA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 17A (Ta), 45A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 6V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.8V @ 36µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 27nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2000pF @ 30V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3W (Ta), 83W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 5.7 mOhm @ 45A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |