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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IPB034N06N3GATMA1 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 93µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 130nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 11000pF @ 30V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 167W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3.4 mOhm @ 100A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7 |
パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |