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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IPAN70R900P7SXKSA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 700V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 900 mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.5V @ 60µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 6.8nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±16V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 211pF @ 400V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 17.9W (Tc) |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220 Full Pack |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |