IPA80R1K4P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 4A TO220
IPA80R1K4P7XKSA1 P1
IPA80R1K4P7XKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPA80R1K4P7XKSA1

品番
IPA80R1K4P7XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IPA80R1K4P7XKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 700µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 10nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 250pF @ 500V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 24W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3F
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack

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