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| 品番 | IDP30E65D2XKSA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 650V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 60A (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 2.2V @ 30A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 42ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 40µA @ 650V |
| 容量Vr、F | - |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-2-1 |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IDP30C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE 650V 30A RAPID2 TO220-3 | 462 | 詳細 | |
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IDP30E120XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2 | - | 426 | 詳細 |
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IDP30E60XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220 | - | 0 | 詳細 |
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IDP30E65D1XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2 | 546 | 詳細 | |
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IDP30E65D2XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2 | 0 | 詳細 |