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| 品番 | IDH09SG60CXKSA2 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 600V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 9A (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 2.1V @ 9A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 0ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 80µA @ 600V |
| 容量Vr、F | 280pF @ 1V, 1MHz |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-2-1 |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IDH09G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2 | - | 0 | 詳細 |
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IDH09G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2 | - | 0 | 詳細 |
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IDH09SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO220-2 | 0 | 詳細 | |
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IDH09SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO220-2 | - | 17782 | 詳細 |