画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 150A (Tj) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 7.5 mOhm @ 150A, 15V (Typ) |
Vgs(th)(Max)@ Id | 5.55V @ 60mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 372nC @ 15V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 11000pF @ 800V |
電力 - 最大 | 20mW (Tc) |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | Module |
サプライヤデバイスパッケージ | AG-EASY2BM-2 |