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| 品番 | FD650R17IE4BOSA2 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | - |
| 構成 | Single |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 1700V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 930A |
| 電力 - 最大 | 4150W |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 5mA |
| 入力容量（Cies）@ Vce | 54nF @ 25V |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | Yes |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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FD650R17IE4BOSA2 | Infineon Technologies | MODULE IGBT PRIME2-1 | - | 162 | 詳細 |