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品番 | BSZ086P03NS3 G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 6V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.1V @ 105µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 57.5nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4785pF @ 15V |
Vgs(最大) | ±25V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 8.6 mOhm @ 20A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |