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品番 | BSZ060NE2LS |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 25V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Ta), 40A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 9.1nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 670pF @ 12V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.1W (Ta), 26W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 6 mOhm @ 20A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8-FL |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |