画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | BSV236SPH6327XTSA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.5A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.2V @ 8µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 5.7nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 228pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 560mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 175 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT363-6 |
| パッケージ/ケース | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSV236SP L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363 | 0 | 詳細 | |
 |
BSV236SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363 | - | 3000 | 詳細 |