画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | BSP615S2L |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 55V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.8A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 12µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 10nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.8W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 90 mOhm @ 1.4A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP 51 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223 | - | 2000 | 詳細 |
 |
BSP 52 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 | - | 0 | 詳細 |
 |
BSP 60 E6433 | Infineon Technologies | TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 | - | 0 | 詳細 |
 |
BSP030,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 | - | 0 | 詳細 |
 |
BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 | - | 0 | 詳細 |
 |
BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 | - | 0 | 詳細 |
 |
BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 | 1000 | 詳細 | |
 |
BSP123E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | 詳細 |
 |
BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | 詳細 |
 |
BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | 詳細 |
 |
BSP125 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | 詳細 |
 |
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | 1000 | 詳細 |