BSM50GD120DN2G

IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
BSM50GD120DN2G P1
BSM50GD120DN2G P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ BSM50GD120DN2G

品番
BSM50GD120DN2G
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
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製品パラメータ

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品番 BSM50GD120DN2G
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ -
構成 Full Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 78A
電力 - 最大 400W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 3.7V @ 15V, 50A
電流 - コレクタ遮断(最大) -
入力容量(Cies)@ Vce 33nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module

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