BSM100GD120DN2BOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
BSM100GD120DN2BOSA1 P1
BSM100GD120DN2BOSA1 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ BSM100GD120DN2BOSA1

品番
BSM100GD120DN2BOSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
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品番 BSM100GD120DN2BOSA1
部品ステータス Not For New Designs
IGBTタイプ -
構成 Three Phase Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 150A
電力 - 最大 680W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 3V @ 15V, 100A
電流 - コレクタ遮断(最大) 2mA
入力容量(Cies)@ Vce 6.5nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module

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