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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | BSD223P L6327 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 390mA |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.2V @ 1.5µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 0.62nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 56pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 250mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT363-6 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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BSD223P | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | 0 | 詳細 | |
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BSD223P L6327 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | 0 | 詳細 | |
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BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | - | 21000 | 詳細 |