BSC159N10LSF G

MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
BSC159N10LSF G P1
BSC159N10LSF G P1
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Infineon Technologies ~ BSC159N10LSF G

品番
BSC159N10LSF G
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 BSC159N10LSF G
部品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9.4A (Ta), 63A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.4V @ 72µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 35nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2500pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 114W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 15.9 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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