画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | BSC093N04LSGATMA1 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13A (Ta), 49A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 14µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 24nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1900pF @ 20V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 35W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 9.3 mOhm @ 40A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |