BSC085N025S G

MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
BSC085N025S G P1
BSC085N025S G P1
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Infineon Technologies ~ BSC085N025S G

品番
BSC085N025S G
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 BSC085N025S G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 25V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 14A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 25µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 14nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1800pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8.5 mOhm @ 35A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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