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品番 | BSB028N06NN3 G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 22A (Ta), 90A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 102µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 143nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 12000pF @ 30V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
パッケージ/ケース | 3-WDSON |