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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | 1N8031-GA |
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部品ステータス | Active |
ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
電圧 - DC逆(Vr)(最大) | 650V |
電流 - 平均整流(Io) | 1A |
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If | 1.5V @ 1A |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
逆回復時間(trr) | 0ns |
電流 - 逆リーク(Vr) | 5µA @ 650V |
容量Vr、F | 76pF @ 1V, 1MHz |
取付タイプ | Through Hole |
パッケージ/ケース | TO-276AA |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-276 |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 250°C |