FQP13N10L

MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
FQP13N10L P1
FQP13N10L P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FQP13N10L

品番
FQP13N10L
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FQP13N10L PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FQP13N10L
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12.8A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 12nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 520pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 65W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 180 mOhm @ 6.4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3

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