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品番 | FQI11P06TU |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11.4A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 17nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 550pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±25V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3.13W (Ta), 53W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 175 mOhm @ 5.7A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |