FQH8N100C

MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
FQH8N100C P1
FQH8N100C P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Fairchild/ON Semiconductor ~ FQH8N100C

品番
FQH8N100C
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FQH8N100C
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 70nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3220pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 225W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.45 Ohm @ 4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247
パッケージ/ケース TO-247-3

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