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品番 | FQH8N100C |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1000V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 70nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3220pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 225W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 1.45 Ohm @ 4A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |