画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | FQA160N08 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 80V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 160A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 290nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7900pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±25V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 375W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 7 mOhm @ 80A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |