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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | FDR840P |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 2.5V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 60nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4481pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±12V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.8W (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 12 mOhm @ 10A, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SuperSOT™-8 |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Gull Wing |