FDMS8050ET30

MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
FDMS8050ET30 P1
FDMS8050ET30 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMS8050ET30

品番
FDMS8050ET30
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FDMS8050ET30
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 55A (Ta), 423A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 750µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 285nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 22610pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.3W (Ta), 180W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 0.65 mOhm @ 55A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Power56
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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