FDD86113LZ

MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
FDD86113LZ P1
FDD86113LZ P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDD86113LZ

品番
FDD86113LZ
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FDD86113LZ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 6nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 285pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 104 mOhm @ 4.2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D-PAK (TO-252AA)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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