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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDD86102LZ

品番: FDD86102LZ
メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
説明: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシート: - FDD86102LZ PDF online browsing
家族: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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製品パラメータ

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品番	FDD86102LZ
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	8A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	26nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1540pF @ 50V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	3.1W (Ta), 54W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	22.5 mOhm @ 8A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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