FDC3601N

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDC3601N P1
FDC3601N P2
FDC3601N P1
FDC3601N P2
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC3601N

品番
FDC3601N
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FDC3601N PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 FDC3601N
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 500 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 153pF @ 50V
電力 - 最大 700mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤデバイスパッケージ SuperSOT™-6

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