FDB3502

MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
FDB3502 P1
FDB3502 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDB3502

品番
FDB3502
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FDB3502
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 75V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6A (Ta), 14A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 15nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 815pF @ 40V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 47 mOhm @ 6A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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