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品番 | EPC2206 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 80V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 90A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 2.2 mOhm @ 29A, 5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 13mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 19nC @ 5V |
Vgs(最大) | +6V, -4V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1940pF @ 40V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | - |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | Die |
パッケージ/ケース | Die |