ZXMN2A01E6TC

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
ZXMN2A01E6TC P1
ZXMN2A01E6TC P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Diodes Incorporated ~ ZXMN2A01E6TC

品番
ZXMN2A01E6TC
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- ZXMN2A01E6TC PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 ZXMN2A01E6TC
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.5A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 700mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 3nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 303pF @ 15V
Vgs(最大) ±12V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.1W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 120 mOhm @ 4A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-6
パッケージ/ケース SOT-23-6

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