ZXMC3F31DN8TA

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
ZXMC3F31DN8TA P1
ZXMC3F31DN8TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMC3F31DN8TA

品番
ZXMC3F31DN8TA
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 ZXMC3F31DN8TA
部品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate, 4.5V Drive
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.8A, 4.9A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 12.9nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 608pF @ 15V
電力 - 最大 1.8W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO

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