DMT6010LSS-13

MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2
DMT6010LSS-13 P1
DMT6010LSS-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMT6010LSS-13

品番
DMT6010LSS-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMT6010LSS-13 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 DMT6010LSS-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 14A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 41.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2090pF @ 30V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8 mOhm @ 20A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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