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BOM

DMN3112SSS-13

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMN3112SSS-13
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画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Diodes Incorporated ~ DMN3112SSS-13

品番
DMN3112SSS-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMN3112SSS-13 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 DMN3112SSS-13
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 268pF @ 15V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 2.5W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 57 mOhm @ 5.8A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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