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品番 | DMN2011UTS-13 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 11 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±12V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2248pF @ 10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.3W (Ta) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |