DMN1033UCB4-7

MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
DMN1033UCB4-7 P1
DMN1033UCB4-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN1033UCB4-7

品番
DMN1033UCB4-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMN1033UCB4-7 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 DMN1033UCB4-7
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) -
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 37nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
電力 - 最大 1.45W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 4-UFBGA, WLBGA
サプライヤデバイスパッケージ U-WLB1818-4

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