DMG7N65SJ3

MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
DMG7N65SJ3 P1
DMG7N65SJ3 P1
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Diodes Incorporated ~ DMG7N65SJ3

品番
DMG7N65SJ3
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 DMG7N65SJ3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.5A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 25nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 886pF @ 50V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-251
パッケージ/ケース TO-251-3, IPak, Short Leads

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