BS107P

MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
BS107P P1
BS107P P2
BS107P P3
BS107P P4
BS107P P1
BS107P P2
BS107P P3
BS107P P4
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Diodes Incorporated ~ BS107P

品番
BS107P
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 BS107P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.6V, 5V
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 30 Ohm @ 100mA, 5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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