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| 品番 | VP2206N3-G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 640mA (Tj) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 10mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 450pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 740mW (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 900 mOhm @ 3.5A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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VP2206N2 | Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39 | - | 166 | 詳細 |
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VP2206N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 | - | 1160 | 詳細 |
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VP2206N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 | - | 0 | 詳細 |