TP5335K1-G

MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
TP5335K1-G P1
TP5335K1-G P1
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Microchip Technology ~ TP5335K1-G

品番
TP5335K1-G
メーカー
Microchip Technology
説明
MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TP5335K1-G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TP5335K1-G
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 350V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 85mA (Tj)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 110pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 360mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 30 Ohm @ 200mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-236AB (SOT23)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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