画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | TP0606N3-G-P003 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 320mA (Tj) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.4V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 150pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3.5 Ohm @ 750mA, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |