LN100LA-G

MOSFET 2N-CH 1200V
LN100LA-G P1
LN100LA-G P1
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Microchip Technology ~ LN100LA-G

品番
LN100LA-G
メーカー
Microchip Technology
説明
MOSFET 2N-CH 1200V
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
LN100LA-G.pdf LN100LA-G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 LN100LA-G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Cascoded)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V (1.2kV)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.6V @ 10µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 50pF @ 25V
電力 - 最大 350mW
動作温度 -25°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-VFLGA
サプライヤデバイスパッケージ 6-LFGA (3x3)

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